Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STN2NE10L
Herstellerteilenummer | STN2NE10L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STN2NE10L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | STripFET™ |
STN2NE10L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STN2NE10L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STN2NE10L-FT |
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