Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STP10P6F6
Herstellerteilenummer | STP10P6F6 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STP10P6F6 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STP10P6F6 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP10P6F6 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STP10P6F6-FT |
STQ1HN60K3-AP
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STQ2LN60K3-AP
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XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel