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STMicroelectronics STP25N60M2-EP

Name: STP25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP25N60M2-EP
Price: 3.872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (209 reviews)

MFG-Teilenummer: STP25N60M2-EP

verfügbare Anzahl: 73700 Stücke

Referenzpreis: USD 3.872

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: MDmesh™ M2-EP MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STP25N60M2-EP.pdf

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STP25N60M2-EP Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STP25N60M2-EP
Zukünftige Teilenummer	FT-STP25N60M2-EP
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	MDmesh™ M2-EP
STP25N60M2-EP Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP25N60M2-EP Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STP25N60M2-EP-FT

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