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Herstellerteilenummer | STP30N65M5 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STP30N65M5 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ V |
STP30N65M5 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 139 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP30N65M5 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STP30N65M5-FT |
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
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