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Herstellerteilenummer | STPS660DDJFY-TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STPS660DDJFY-TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
STPS660DDJFY-TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 3.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STPS660DDJFY-TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STPS660DDJFY-TR-FT |
MURF30010R
GeneSiC Semiconductor
MURF30020
GeneSiC Semiconductor
MURF30020R
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MURF30040
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MURF30040R
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MURF30060R
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MURF40005R
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A42MX36-CQ256
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LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
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5SGXEA7K2F40I2L
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5AGXBA3D4F27C4N
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XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation