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STMicroelectronics STS19N3LLH6

MFG-Teilenummer
STS19N3LLH6
verfügbare Anzahl
41980 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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STS19N3LLH6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer STS19N3LLH6
Zukünftige Teilenummer FT-STS19N3LLH6
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
STS19N3LLH6 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS19N3LLH6 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STS19N3LLH6-FT

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