Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STU10NM60N
Herstellerteilenummer | STU10NM60N |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-STU10NM60N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ II |
STU10NM60N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 70W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I-PAK |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU10NM60N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STU10NM60N-FT |
STB45N65M5
STMicroelectronics
STB57N65M5
STMicroelectronics
STB5N80K5
STMicroelectronics
STB6N65M2
STMicroelectronics
STB6N80K5
STMicroelectronics
STB8N65M5
STMicroelectronics
STB170NF04
STMicroelectronics
STB25NF06AG
STMicroelectronics
STB78NF55-08
STMicroelectronics
STB10N65K3
STMicroelectronics
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel