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STMicroelectronics STV200N55F3

Name: STV200N55F3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STV200N55F3
Price: 3.66528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (350 reviews)

MFG-Teilenummer: STV200N55F3

verfügbare Anzahl: 88070 Stücke

Referenzpreis: USD 3.66528

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: STripFET™ MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STV200N55F3.pdf

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STV200N55F3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STV200N55F3
Zukünftige Teilenummer	FT-STV200N55F3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	STripFET™
STV200N55F3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	10-PowerSO
Paket / fall	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STV200N55F3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STV200N55F3-FT

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