Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STW3N170
Herstellerteilenummer | STW3N170 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STW3N170 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerMESH™ |
STW3N170 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 160mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW3N170 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STW3N170-FT |
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
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EP20K100EBI356-2X
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