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Herstellerteilenummer | STW45N60DM2AG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STW45N60DM2AG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
STW45N60DM2AG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 34A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW45N60DM2AG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STW45N60DM2AG-FT |
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
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Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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