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STMicroelectronics STW58N65DM2AG

Name: STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW58N65DM2AG
Price: 9.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (231 reviews)

MFG-Teilenummer: STW58N65DM2AG

verfügbare Anzahl: 40990 Stücke

Referenzpreis: USD 9.464

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 650V 48A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STW58N65DM2AG.pdf

STW58N65DM2AG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STW58N65DM2AG
Zukünftige Teilenummer	FT-STW58N65DM2AG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STW58N65DM2AG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	360W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW58N65DM2AG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STW58N65DM2AG-FT

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