Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STY60NM60
Herstellerteilenummer | STY60NM60 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STY60NM60 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ |
STY60NM60 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 266nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 560W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | MAX247™ |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STY60NM60 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STY60NM60-FT |
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Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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