Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUD45P03-10-E3
Herstellerteilenummer | SUD45P03-10-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUD45P03-10-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUD45P03-10-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 4W (Ta), 70W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD45P03-10-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUD45P03-10-E3-FT |
SI8810EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8817DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8823EDB-T2-E1
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SI8445DB-T2-E1
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SI8805EDB-T2-E1
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SI8806DB-T2-E1
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SI8466EDB-T2-E1
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SI8461DB-T2-E1
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Vishay Siliconix
SI8465DB-T2-E1
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel