Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUD50N10-18P-GE3
Herstellerteilenummer | SUD50N10-18P-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUD50N10-18P-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUD50N10-18P-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.2A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 136.4W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N10-18P-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUD50N10-18P-GE3-FT |
SI8405DB-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8415DB-T1-E1
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SI8424DB-T1-E1
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SI8435DB-T1-E1
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SI8473EDB-T1-E1
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SI8475EDB-T1-E1
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SUD09P10-195-GE3
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SUD19P06-60-GE3
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SUD50P06-15-GE3
Vishay Siliconix
SUD50P08-25L-E3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel