Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUM110N08-07P-E3
Herstellerteilenummer | SUM110N08-07P-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUM110N08-07P-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUM110N08-07P-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4250pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N08-07P-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUM110N08-07P-E3-FT |
SIR818DP-T1-GE3
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SIR826ADP-T1-GE3
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SIR826DP-T1-GE3
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SIR836DP-T1-GE3
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SIR862DP-T1-GE3
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