Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUM18N25-165-E3
Herstellerteilenummer | SUM18N25-165-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUM18N25-165-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUM18N25-165-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM18N25-165-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUM18N25-165-E3-FT |
SIR846ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR846DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR850DP-T1-GE3
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SIR862DP-T1-GE3
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SIR866DP-T1-GE3
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SIR870ADP-T1-GE3
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SIR870DP-T1-GE3
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SIR872ADP-T1-GE3
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SIR872DP-T1-GE3
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SIR873DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel