Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUM55P06-19L-E3
Herstellerteilenummer | SUM55P06-19L-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUM55P06-19L-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUM55P06-19L-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM55P06-19L-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUM55P06-19L-E3-FT |
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3
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SI7866ADP-T1-GE3
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SI7882DP-T1-E3
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ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel