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Vishay Siliconix SUP50N10-21P-GE3

Name: SUP50N10-21P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP50N10-21P-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

MFG-Teilenummer: SUP50N10-21P-GE3

verfügbare Anzahl: 54000 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SUP50N10-21P-GE3.pdf

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SUP50N10-21P-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SUP50N10-21P-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SUP50N10-21P-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SUP50N10-21P-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.1W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUP50N10-21P-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SUP50N10-21P-GE3-FT

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