Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUP60N10-18P-E3
Herstellerteilenummer | SUP60N10-18P-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUP60N10-18P-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUP60N10-18P-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP60N10-18P-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUP60N10-18P-E3-FT |
IRF634NPBF
Vishay Siliconix
IRF644
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IRF710
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IRF734PBF
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IRF737LCPBF
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IRF740A
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
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