Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUP85N03-3M6P-GE3
Herstellerteilenummer | SUP85N03-3M6P-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUP85N03-3M6P-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUP85N03-3M6P-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 85A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3535pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP85N03-3M6P-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUP85N03-3M6P-GE3-FT |
IRF740L
Vishay Siliconix
IRF740LC
Vishay Siliconix
IRF744
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IRF744PBF
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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