Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUP90N04-3M3P-GE3
Herstellerteilenummer | SUP90N04-3M3P-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUP90N04-3M3P-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUP90N04-3M3P-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 131nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5286pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N04-3M3P-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUP90N04-3M3P-GE3-FT |
IRF840A
Vishay Siliconix
IRF9510
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IRF9Z14
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EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
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