Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUP90N08-6M8P-E3
Herstellerteilenummer | SUP90N08-6M8P-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUP90N08-6M8P-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUP90N08-6M8P-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4620pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 272W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N08-6M8P-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUP90N08-6M8P-E3-FT |
IRF9520
Vishay Siliconix
IRF9530
Vishay Siliconix
IRF9540
Vishay Siliconix
IRF9610
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IRF9620
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IRF9630
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IRF9Z14
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IRF9Z24
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IRF9Z30
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
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Intel
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Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel