Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / T-TD1R4N60P 11
Herstellerteilenummer | T-TD1R4N60P 11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T-TD1R4N60P 11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T-TD1R4N60P 11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | - |
Technologie | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T-TD1R4N60P 11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T-TD1R4N60P 11-FT |
SIPC26N60S5X1SA1
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