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Herstellerteilenummer | T2N7002AK,LM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T2N7002AK,LM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | U-MOSVII-H |
T2N7002AK,LM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 320mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T2N7002AK,LM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T2N7002AK,LM-FT |
SIHG33N60E-GE3
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SIHG33N60EF-GE3
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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Intel
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Microsemi Corporation
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