Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / T6070618B4BT
Herstellerteilenummer | T6070618B4BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T6070618B4BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T6070618B4BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.85V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 175A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 275A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 25mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 4500A @ 60Hz |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | TO-209AB, TO-93-4, Stud |
Supplier Device Package | TO-93 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T6070618B4BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T6070618B4BT-FT |
VS-ST380CH04C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST380CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST380CH06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRX47
Central Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4CE10E22I7
Intel
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel