Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / T620082004DN
Herstellerteilenummer | T620082004DN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T620082004DN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T620082004DN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 200A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 315A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 3650A, 4000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount, 8" Wire Lead |
Paket / fall | TO-200AB, A-PUK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T620082004DN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T620082004DN-FT |
TT260N22KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT270N16KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT285N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT330N16AOFHPSA1
Infineon Technologies
TT400N24KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT400N26KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT425N12KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT425N14KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT425N16KOFHPSA3
Infineon Technologies
TT425N18KOFHPSA2
Infineon Technologies
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4
Intel
EP3SL70F484I4LN
Intel
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC2VP50-6FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C2L
Intel