Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / T620163004DN
Herstellerteilenummer | T620163004DN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T620163004DN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T620163004DN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 1.6kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 300A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 470A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 5000A, 5500A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount, 8" Wire Lead |
Paket / fall | TO-200AB, A-PUK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T620163004DN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T620163004DN-FT |
VS-T70RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT56/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP3C80U484C8
Intel
EP3C5F256C7
Intel
10AX032E4F27E3LG
Intel
5SGXMA7N1F45C2LN
Intel
XC7VX690T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
LFE3-95E-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EP4SGX110DF29C2X
Intel