Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / T7H8086504DN
Herstellerteilenummer | T7H8086504DN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T7H8086504DN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T7H8086504DN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 650A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 1020A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 8200A, 9000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200 Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T7H8086504DN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T7H8086504DN-FT |
TZ740N22KOFHPSA3
Infineon Technologies
TZ800N12KOFHPSA3
Infineon Technologies
TZ800N14KOFHPSA3
Infineon Technologies
TZ800N16KOFHPSA3
Infineon Technologies
TZ800N18KOFHPSA3
Infineon Technologies
TZ860N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
B512FS-2
Sensata-Crydom
B512SE-2T
Sensata-Crydom
B514FSE-2T
Sensata-Crydom
B522F-2
Sensata-Crydom
XCV100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
10AX027E3F27I2SG
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGSMD6N2F45C2N
Intel
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
HC20K600BC652
Intel