Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / T9S0062803DH
Herstellerteilenummer | T9S0062803DH |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-T9S0062803DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T9S0062803DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3300A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 5184A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 34884A, 37000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -20°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200 Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T9S0062803DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T9S0062803DH-FT |
T1601N36TOFVTXPSA1
Infineon Technologies
T160N18BOFXPSA1
Infineon Technologies
T1651N70TOHPRXPSA1
Infineon Technologies
T1651N70TS11XPSA1
Infineon Technologies
T1800N45TS07PRXPSA1
Infineon Technologies
T1851N60TOHXPSA1
Infineon Technologies
T1851N70TS09XPSA1
Infineon Technologies
T1901N70TS07XPSA1
Infineon Technologies
T1901N80TS01PRQRHOSA1
Infineon Technologies
T1960N18TOFVTXPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
A54SX08A-FGG144A
Microsemi Corporation