Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / TA20081803DH
Herstellerteilenummer | TA20081803DH |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TA20081803DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TA20081803DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1800A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 4.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AE Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20081803DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TA20081803DH-FT |
VS-VSKL300-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKL500-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSED8K1F40C2N
Intel
10AX048H4F34I3LG
Intel
A3P060-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel