Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / TA20121803DH
Herstellerteilenummer | TA20121803DH |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TA20121803DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TA20121803DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1800A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 4.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AE Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20121803DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TA20121803DH-FT |
VS-VSKT170-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
10AX027E3F27I2SG
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGSMD6N2F45C2N
Intel
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
HC20K600BC652
Intel