Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / TA20121803DH
Herstellerteilenummer | TA20121803DH |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TA20121803DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TA20121803DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1800A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 4.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AE Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20121803DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TA20121803DH-FT |
VS-VSKT170-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA9K2H40C2N
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel