Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / TA20161803DH
Herstellerteilenummer | TA20161803DH |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TA20161803DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TA20161803DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 1.6kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1800A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 4.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AE Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20161803DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TA20161803DH-FT |
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C6T144I7N
Intel
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
10CL080YF484I7G
Intel
5SGSMD4K2F40C2L
Intel
LCMXO2-256ZE-2UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6F23C7N
Intel
EP3SE110F780C4N
Intel
EP20K600EBC652-2X
Intel