Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / TA20221603DH
Herstellerteilenummer | TA20221603DH |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-TA20221603DH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TA20221603DH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Single |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
Spannung - Aus-Zustand | 2.2kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1600A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 2500A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 4.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 26900A, 29500A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AE Variation |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20221603DH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TA20221603DH-FT |
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT250-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT250-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT250-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
A54SX08A-FGG144A
Microsemi Corporation