Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / TB6S-G
Herstellerteilenummer | TB6S-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TB6S-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TB6S-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 800mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 400mA |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 4-TBS |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TB6S-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TB6S-G-FT |
KBP206-BP
Micro Commercial Co
KBP10M-BP
Micro Commercial Co
KBP06M-BP
Micro Commercial Co
KBP2005-BP
Micro Commercial Co
KBP201-BP
Micro Commercial Co
KBP202-BP
Micro Commercial Co
KBP204-BP
Micro Commercial Co
KBP208-BP
Micro Commercial Co
KBP210-BP
Micro Commercial Co
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel