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Herstellerteilenummer | TC58BYG0S3HBAI6 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TC58BYG0S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Benand™ |
TC58BYG0S3HBAI6 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 67-VFBGA |
Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG0S3HBAI6 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TC58BYG0S3HBAI6-FT |
W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel