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Herstellerteilenummer | TC58BYG1S3HBAI4 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TC58BYG1S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Benand™ |
TC58BYG1S3HBAI4 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 63-VFBGA |
Supplier Device Package | 63-TFBGA (9x11) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG1S3HBAI4 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TC58BYG1S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCIG
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
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W25Q128FVCJQ
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W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel