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Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4

Name: TC58BYG2S0HBAI4
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TC58BYG2S0HBAI4
Price: 4.272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (486 reviews)

MFG-Teilenummer: TC58BYG2S0HBAI4

verfügbare Anzahl: 72240 Stücke

Referenzpreis: USD 4.272

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Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung: Benand™ 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TC58BYG2S0HBAI4.pdf

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TC58BYG2S0HBAI4 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TC58BYG2S0HBAI4
Zukünftige Teilenummer	FT-TC58BYG2S0HBAI4
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Benand™
TC58BYG2S0HBAI4 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße	4G (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	63-VFBGA
Supplier Device Package	63-TFBGA (9x11)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TC58BYG2S0HBAI4 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TC58BYG2S0HBAI4-FT

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