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Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI4
- MFG-Teilenummer
- TC58NYG2S0HBAI4
- verfügbare Anzahl
- 35090 Stücke
- Referenzpreis
- USD 5.2
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Memory America, Inc.
- Kurze Beschreibung
- - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TC58NYG2S0HBAI4.pdf
TC58NYG2S0HBAI4 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TC58NYG2S0HBAI4 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TC58NYG2S0HBAI4 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TC58NYG2S0HBAI4 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 63-VFBGA |
| Supplier Device Package | 63-TFBGA (9x11) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TC58NYG2S0HBAI4 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TC58NYG2S0HBAI4-FT |
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