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TH58BYG2S3HBAI6 Image

Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

MFG-Teilenummer
TH58BYG2S3HBAI6
verfügbare Anzahl
27830 Stücke
Referenzpreis
USD 4.928
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Kurze Beschreibung
Benand™ IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TH58BYG2S3HBAI6.pdf
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TH58BYG2S3HBAI6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer TH58BYG2S3HBAI6
Zukünftige Teilenummer FT-TH58BYG2S3HBAI6
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Benand™
TH58BYG2S3HBAI6 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 67-VFBGA
Supplier Device Package 67-VFBGA (6.5x8)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI6 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TH58BYG2S3HBAI6-FT

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