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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

Name: TH58BYG2S3HBAI6
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58BYG2S3HBAI6
Price: 4.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (752 reviews)

MFG-Teilenummer: TH58BYG2S3HBAI6

verfügbare Anzahl: 27830 Stücke

Referenzpreis: USD 4.928

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Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung: Benand™ IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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TH58BYG2S3HBAI6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TH58BYG2S3HBAI6
Zukünftige Teilenummer	FT-TH58BYG2S3HBAI6
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Benand™
TH58BYG2S3HBAI6 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	67-VFBGA
Supplier Device Package	67-VFBGA (6.5x8)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI6 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TH58BYG2S3HBAI6-FT

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