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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6
- MFG-Teilenummer
- TH58BYG3S0HBAI6
- verfügbare Anzahl
- 89460 Stücke
- Referenzpreis
- USD 9.504
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Memory America, Inc.
- Kurze Beschreibung
- Benand™ 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TH58BYG3S0HBAI6.pdf
TH58BYG3S0HBAI6 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TH58BYG3S0HBAI6 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TH58BYG3S0HBAI6 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Benand™ |
| TH58BYG3S0HBAI6 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | - |
| Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TH58BYG3S0HBAI6 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TH58BYG3S0HBAI6-FT |
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