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Herstellerteilenummer | TH58BYG3S0HBAI6 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TH58BYG3S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Benand™ |
TH58BYG3S0HBAI6 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BYG3S0HBAI6 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TH58BYG3S0HBAI6-FT |
S99GL016A
Cypress Semiconductor Corp
S99GL01GP0609
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0019
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0030
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N90TFI060
Cypress Semiconductor Corp
S99GL08GT
Cypress Semiconductor Corp
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel