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Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4

Name: TH58NYG2S3HBAI4
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58NYG2S3HBAI4
Price: 6.2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (117 reviews)

MFG-Teilenummer: TH58NYG2S3HBAI4

verfügbare Anzahl: 67150 Stücke

Referenzpreis: USD 6.2

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Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung: - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TH58NYG2S3HBAI4.pdf

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TH58NYG2S3HBAI4 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TH58NYG2S3HBAI4
Zukünftige Teilenummer	FT-TH58NYG2S3HBAI4
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TH58NYG2S3HBAI4 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	63-BGA
Supplier Device Package	63-BGA (9x11)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58NYG2S3HBAI4 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TH58NYG2S3HBAI4-FT

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