Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Thyristoren / THBT15011DRL
Herstellerteilenummer | THBT15011DRL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-THBT15011DRL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | THBT, TRISIL™ |
THBT15011DRL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Breakover | 210V |
Spannung - Aus-Zustand | 150V |
Spannung - Ein Zustand | - |
Strom - Spitzenimpuls (8 / 20µs) | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 30A |
Strom - Halten (Ih) | 150mA |
Anzahl der Elemente | 3 |
Kapazität | 80pF |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT15011DRL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | THBT15011DRL-FT |
TISP3180F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3240F3DR
Bourns Inc.
TISP3240F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3260F3DR
Bourns Inc.
TISP3260F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3290F3DR
Bourns Inc.
TISP3290F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3320F3DR
Bourns Inc.
TISP3320F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3380F3DR
Bourns Inc.
A40MX02-1VQG80
Microsemi Corporation
XCS20-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1200E-4FT256I
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA484I
Xilinx Inc.
EP4SGX290NF45C3
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144
Microsemi Corporation
LFX200B-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel