Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Thyristoren / THBT20011D
Herstellerteilenummer | THBT20011D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-THBT20011D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | THBT, TRISIL™ |
THBT20011D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Breakover | 290V |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Ein Zustand | - |
Strom - Spitzenimpuls (8 / 20µs) | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 30A |
Strom - Halten (Ih) | 150mA |
Anzahl der Elemente | 3 |
Kapazität | 80pF |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT20011D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | THBT20011D-FT |
TISP61089BGDR-S
Bourns Inc.
TISP61089SDR-S
Bourns Inc.
TISP61511DR-S
Bourns Inc.
TISP7015DR
Bourns Inc.
TISP7015DR-S
Bourns Inc.
TISP7072F3DR
Bourns Inc.
TISP7082F3DR
Bourns Inc.
TISP7125F3DR
Bourns Inc.
TISP7150F3DR
Bourns Inc.
TISP7180F3DR
Bourns Inc.
XC4005E-4PQ100I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-3VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
10AX022E4F29E3LG
Intel
5CGXFC4F7M11C8N
Intel
XC5VFX30T-1FF665CES
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel