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Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- MFG-Teilenummer
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- verfügbare Anzahl
- 57690 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.5096
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSVI MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSVI |
| TJ30S06M3L(T6L1,NQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TJ30S06M3L(T6L1,NQ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TJ30S06M3L(T6L1,NQ-FT |
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