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Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Name: TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Price: 0.728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (708 reviews)

MFG-Teilenummer: TJ80S04M3L(T6L1,NQ

verfügbare Anzahl: 70870 Stücke

Referenzpreis: USD 0.728

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TJ80S04M3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	158nC @ 10V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7770pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK+
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TJ80S04M3L(T6L1,NQ-FT

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