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TK10E60W,S1VX Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W,S1VX

MFG-Teilenummer
TK10E60W,S1VX
verfügbare Anzahl
17890 Stücke
Referenzpreis
USD 2.24
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK10E60W,S1VX.pdf
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TK10E60W,S1VX Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK10E60W,S1VX
Zukünftige Teilenummer FT-TK10E60W,S1VX
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK10E60W,S1VX Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10E60W,S1VX Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK10E60W,S1VX-FT

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