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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E
- MFG-Teilenummer
- TK10J80E,S1E
- verfügbare Anzahl
- 44620 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.98912
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TK10J80E,S1E.pdf
TK10J80E,S1E Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TK10J80E,S1E |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | π-MOSVIII |
| TK10J80E,S1E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK10J80E,S1E Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TK10J80E,S1E-FT |
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