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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E

Name: TK10J80E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10J80E,S1E
Price: 1.98912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (583 reviews)

MFG-Teilenummer: TK10J80E,S1E

verfügbare Anzahl: 44620 Stücke

Referenzpreis: USD 1.98912

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK10J80E,S1E.pdf

TK10J80E,S1E Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK10J80E,S1E
Zukünftige Teilenummer	FT-TK10J80E,S1E
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	π-MOSVIII
TK10J80E,S1E Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10J80E,S1E Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK10J80E,S1E-FT

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