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Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U(Q,M)

MFG-Teilenummer
TK12A60U(Q,M)
verfügbare Anzahl
77640 Stücke
Referenzpreis
USD 2.824
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSII MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK12A60U(Q,M).pdf
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TK12A60U(Q,M) Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK12A60U(Q,M)
Zukünftige Teilenummer FT-TK12A60U(Q,M)
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSII
TK12A60U(Q,M) Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220SIS
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12A60U(Q,M) Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK12A60U(Q,M)-FT

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