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Herstellerteilenummer | TK12A60U(Q,M) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK12A60U(Q,M) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DTMOSII |
TK12A60U(Q,M) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12A60U(Q,M) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK12A60U(Q,M)-FT |
SI5447DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5404BDC-T1-E3
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SI5403DC-T1-GE3
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SI1012X-T1-E3
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IRFPS40N50LPBF
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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