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Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ

Name: TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK160F10N1L,LQ
Price: 1.07416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (701 reviews)

MFG-Teilenummer: TK160F10N1L,LQ

verfügbare Anzahl: 82480 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK160F10N1L,LQ.pdf

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TK160F10N1L,LQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK160F10N1L,LQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK160F10N1L,LQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TK160F10N1L,LQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	160A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-220SM(W)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK160F10N1L,LQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK160F10N1L,LQ-FT

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