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TK16C60W,S1VQ Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W,S1VQ

MFG-Teilenummer
TK16C60W,S1VQ
verfügbare Anzahl
15550 Stücke
Referenzpreis
USD 3.496
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK16C60W,S1VQ.pdf
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TK16C60W,S1VQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK16C60W,S1VQ
Zukünftige Teilenummer FT-TK16C60W,S1VQ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK16C60W,S1VQ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK16C60W,S1VQ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK16C60W,S1VQ-FT

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